L1
铜箔粘附与电子连续
Cu adhesion & electronic continuity · 贴近集流体的底层
机制问题：如何在循环中保持电极—铜箔界面粘附与电子通路，而不是靠厚底涂糊弄过去。
起始干基配方（示意 · 可改 · 勿当已发表数据）
Si@C 8 / 石墨 86 / SP 3 / PAA 2 / SBR 1
PhD Research · Central South University
SCROLL · 探索三层架构
01 锁定课题
THESIS SPINE三层功能梯度硅碳复合负极的分区材料设计、界面调控与离子传输机制
Partitioned Materials Design, Interface Regulation, and Ion Transport of a Trilayer Functionally Graded Si–C Anode
三层是终局集成，不是前三章的起点：先做 L1 → L2 → L3 单层机制，第四章才做三层集成。
L1 单层→
L2 单层→
L3 单层→
Ch.4 三层集成
示意 · 自下而上：铜箔 → L1 → L2 → L3（非已测截面图）
边界语气：证据 — 假设 — 判据。不做「堆了梯度就是创新」的空话；润湿 ≠ 亲水。
02 分区功能 · 单层机制
L1 / L2 / L3
L2
膨胀储锂与接触保持
Expansion host & contact retention · 主储锂层
机制问题：高硅区膨胀后，可恢复接触 vs 不可逆失联如何区分、如何测。
起始干基配方（示意 · 可改 · 勿当已发表数据）
Si@C 40 / 石墨 54 / SP 2 / PAA 2 / SBR 2
L3
润湿与离子传输
Wetting & ion transport · 面向隔膜侧
机制问题：电解液润湿与厚度方向离子传输不是一回事；润湿 ≠ 亲水。
起始干基配方（示意 · 可改 · 勿当已发表数据）
Si@C 15 / 石墨 80 / SP 2 / CMC 2 / SBR 1
Si@C ≠ 单质 Si。配方中的「Si@C」指商业硅碳粉料（元素硅含量需按供应商 COA 核算），不是按单质硅重量直接投料。
03 第四章 · 层间匹配与三层集成
CHAPTER 4单层机制走通之后，才谈三层集成。对照设计用于拆开「梯度结构」与「组成本身」的贡献——不是为了形式上多涂几层。
A异配方三层（目标集成）
B同组成混合单层
C同组成分三次涂
D对应 A 的 L2 单层参考
Ch.4 干基质量比示意：L1 : L2 : L3 ≈ 20 : 60 : 20（待实验窗口确认，非定稿）。
04 证据框架
EVIDENCE · HYPOTHESIS · CRITERIA证据 Evidence
已观测到的界面/结构/电化学事实；文献与邻域路线对照。
假设 Hypothesis
可证伪的机制陈述；明确变量与固定项。
判据 Criteria
支持 / 否定判据写清，再向第四章交付候选与失效窗口。
缺陷 → 措施
变量 / 固定
对照测量
支持 / 否定判据
向 Ch.4 交付
本页不展示虚构 DOI、容量曲线数值或「已发表」结果。示意图均为结构示意。
05 关于
ABOUT我是 xiu，目前在中南大学（长沙）攻读博士学位，方向为材料与电化学，主线研究锂离子电池硅碳复合负极的分区设计与界面/传输机制。
个人介绍补充：待补充
起止年份待补充
中南大学 · 博士研究生（在读）
材料与电化学 · 硅碳复合负极
材料与电化学 · 硅碳复合负极
待补充
此前学历：待补充
代表性成果：待补充
06 联系
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